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首页 > 新品推荐 > ​MK米客方德SD NAND掉电保护机制
  • ​MK米客方德SD NAND掉电保护机制

  • 2022-12-27 09:55:51 阅读量:2129

MK米客方德从推出业界第一颗基于SLC开发的SD NAND产品至今,出货量已逾1000万颗,容量覆盖128MB~64GByte,64GB大容量为Nano SD NAND。MK拥有先进的NAND Flash管理技术,如ECC纠错、坏块管理、磨损平均算法、掉电保护等,能大幅提升产品的速度和系统性能。这就是为什么SD NAND深受越来越多行业应用青睐的原因。在此,今天就和大家深入探讨MK的SD NAND的掉电保护机制。


    

图一:SD NAND产品图




众所周知,掉电可以分正常掉电和异常掉电,正常掉电不会导致数据的丢失。而在设备日常工作中,异常掉电的发生不可避免,当发生异常掉电时,如果没有合理的掉电保护机制,就会引发很多问题,最终导致所有用户数据的丢失。

所谓的异常掉电,就是设备(Device)在没有收到主机(Host)的掉电通知时就被断电;或者收到主机的掉电通知,但还没有来得及处理缓存的用户数据、映射表以及闪存的块信息等写入闪存就被断电了。异常掉电可能会导致数据的丢失,比如缓存在存储芯片中的数据来不及写到闪存,掉电导致这部分数据丢失。所以,异常掉电保护机制的目的一方面是尽可能恢复用户数据,把损失减到最低;另一方面是让存储芯片经历异常掉电后还能正常工作。

现在主要讲一下SD NAND异常掉电恢复SPOR (Sudden Power Off Recovery), MK SD NAND的异常掉电恢复主要就是映射表的恢复重建。如果我们读取物理地址Pa x,就能读到元数据x和用户数据x,而元数据是有逻辑地址La x和时间戳的,因此我们就能获得映射:La x→Pa x。元数据和用户数据存储示例如表一所示。

元数据

用户数据

备注

La 1,TS1...

User data 1

Pa 1

La 2,TS2...

User data 2

Pa 2

La 3,TS3...

User data 3

Pa 3

La 4,TS4...

User data 4

Pa 4

La 5,TS5...

User data 5

Pa 5

La 6,TS6...

User data 6

Pa 6

La 7,TS7...

User data 7

Pa 7

La 8,TS8...

User data 8

Pa 8

La 9,TS9...

User data 9

Pa 9

...

...

...

La x-1,TS...

User data x-1

Pa x-1

La x,TS...

User data x

Pa x


表一:闪存空间



那么,MK SD NAND又是如何快速恢复映射表的呢?这就需要定期把SD NAND中RAM的数据(包括映射表和缓存的用户数据)和相关的状态信息如擦写次数,读取次数及其它信息等写入到闪存中去。




  


图二:定期给eMMC拍照

假设在做完快照C后,做下一个快照D之前,在X处发生了异常掉电,那么设备重上电的话,就可以在闪存中读取到最新的快照信息,由于异常掉电,从快照C处到X处新产生的映射关系丢失。由于之前绝大多数的映射关系都被快照C保存,因此需要重建的映射关系仅仅是快照C之后产生的映射关系,这部分关系的恢复,仅需扫描一些局部的物理空间,由此可见,映射表重建速度大大加快。


  

图三:异常掉电时刻X

嵌入式芯片由于封装芯片形式所受限,如果在硬件上设计异常断电防护功能会有所限制,因此一般掉电保护主要依靠主控端的固件算法来实现的。而  MK米客方德  的一系列产品均有做强化异常断电防护机制,在不同的测试场景下进行异常断电测试5000次,保证数据的存储可靠性。



MK SD NAND 产品选型表

产品类型

容量

型号

工作温度

尺寸

Flash类型

关键特征

MKDN系列
(Nano SD NAND)

32Gbit

MKDN032GCL-AA

 -25℃~85℃

9x12mm

MLC

支持1.8v/3.3v IO电压

64Gbit

MKDN064GCL-AA

 -25℃~85℃

MLC

支持1.8v/3.3v IO电压

128Gbit

MKDN128GCL-ZA

 -25℃~85℃

TLC

LDPC 纠错算法;支持1.8v/3.3v IO电压

256Gbit

MKDN256GCL-ZA

 -25℃~85℃

TLC

LDPC 纠错算法;支持1.8v/3.3v IO电压

512Gbit

MKDN512GCL-ZA

 -25℃~85℃

TLC

LDPC 纠错算法;支持1.8v/3.3v IO电压

32Gbit

MKDN032GIL-AA

 -25℃~85℃

pSLC

P/E Cycles 5万次,工业级;支持1.8v/3.3v IO电压

64Gbit

MKDN064GIL-ZA

 -25℃~85℃

pSLC

P/E Cycles 5万次,工业级;支持1.8v/3.3v IO电压

MKDV系列

1Gbit

MKDV1GCL-AB

 -25℃~85℃

6x8mm

SLC

 

2Gbit

MKDV2GCL-AB

 -25℃~85℃

SLC

 

4Gbit

MKDV4GCL-AB

 -25℃~85℃

SLC

 

32Gbit

MKDV032GCL-STH

 -25℃~85℃

MLC

 

64Gbit

MKDV064GCL-STH

 -25℃~85℃

MLC

 

1Gbit

MKDV1GIL-AS

 -40℃~85℃

SLC

工业级宽温,数据保持力10年

2Gbit

MKDV2GIL-AS

 -40℃~85℃

SLC

工业级宽温,数据保持力10年

4Gbit

MKDV4GIL-AS

 -40℃~85℃

SLC

工业级宽温,数据保持力10年

8Gbit

MKDV8GIL-AS

 -40℃~85℃

SLC

工业级宽温,数据保持力10年




 |  SD NAND  |  MK米客方德
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