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通常所说的瞬变干扰,是指静电放电、电快速瞬变脉冲群、跟雷击浪涌,产生的瞬时过电压。这种瞬态干扰现象严重地危及电子设备的安全,在消费领域可能会让电子设备损坏,在工业领域会影响生产环节,因此消除浪涌噪声干扰、防止浪涌损害一直是关系到电子设备安全可靠运行的核心问题。
为了减少瞬变干扰的影响,可以采取多种措施,如使吸收器等滤波元器件来减小PCB接地线公共阻抗,将干扰源远离敏感电路进行PCB布局,以及选择性能可靠的关键器件等。
关键器件之TSS管的工作原理
TSS管的工作方式则与气体放电管类似,属于能量转移型(开关型)保护器件,击穿电压从几十到几百伏不等,导通压降只有几伏特;浪涌吸收能力能达到几百安培或更大。
TSS管的工作过程是,当电压超过转折电压时,固体放电管放电,并将脉冲能量直接泄放到地,等管子电流低于维持电流时,结束放电。常作为选型考虑的有下面一些参数:
1)漏电流Idrm:固体放电管在关断状态最大可施加电压Vdrm下测得的最大峰值关态电流。
2)转换电流Is:进入导通状态所需的最大电流。
3)维持电流IH:保持导通状态所需的最小电流。
4)峰值电流Ipp:保证管子不损坏的最大峰值电流。
5)通态电流It:额定最大持续导通电流。
6)一周波内的峰值浪涌电流Itsm:一个周波内,放电管可以通过的额定最大交流电流。
7)转换电压Vs:进入导通状态两端可施加的最大电压。
8)通态电压Vt:额定通态电流下,测到的放电管最大压降。
9)峰值关态电压Vdrm:维持放电管关断状态的最大电压。
10)关态电容Co:放电管关断状态下测得的典型电容值。
11)电流上升率di/dt。可施加的电流最大上升率。
12) 电压上升率dv/dt。可施加的电压最大上升率。
晶扬电子半导体放电管TSS管P4200SCX
1、浪涌吸收能力:10/700uS:6KV
2、封装形式:标准SMB封装(DO-214AA)
3、环保要求:符合RoHS、Reach等环保要求;
4、产品优点:可靠性高,快速导通、快速响应、耐压高,漏电流低
5、包装方式:盘装 3000PCS/盘
产品常规电性参数表:
晶扬电子TSS管,P4200SCX由于具有响应速度快,钳位电压低,电压精准等优点,因而应用于对保护器件要求较高的场合,如汽车电子、工业控制、照明,通信等行业,如 DC 电源线,RJ11 接口,通信电源,I/O 口等。
TPS5430DDAR/DC-DC电源芯片 | 1.11 | |
DS18B20+/温度传感器 | 4.39 | |
W25Q128JVSIQ/NOR FLASH | 2.1 | |
ADUM1201ARZ-RL7/数字隔离器 | 4.91 | |
STM32F030F4P6TR/单片机(MCU/MPU/SOC) | 2.24 | |
ADUM1201BRZ-RL7/数字隔离器 | 4.75 | |
STM32F103C8T6/单片机(MCU/MPU/SOC) | 4.23 | |
STM32F103RCT6/单片机(MCU/MPU/SOC) | 7.04 | |
STM32F103VCT6/单片机(MCU/MPU/SOC) | 7.8 | |
STM32F103CBT6/单片机(MCU/MPU/SOC) | 5.82 |
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