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江西誉鸿锦材料科技有限公司从事第三代化合物半导体材料—氮化镓(GaN)系列材料的开发制造和应用。二十余年来专注于GaN材料外延、电子器件、光电器件和器件封装等的研发和生产,拥有坚实的理论基础和丰富的实战经验,掌握氮化镓外延、器件制备和封装等领域的核心技术,本公司的GaN材料外延和器件的性能达到世界先进水平。
公司的主要产品有高性能肖特基二极管势垒(SBD)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、射频/功率放大器(RF PA)、深紫外发光二极管(UVC-LED)等,这些产品广泛用于新能源汽车、数据中心、超算中心、5G通讯及杀菌消毒等领域。江西誉鸿锦材料科技有限公司将致力于实现氮化镓电子器件和高端光电器件领域的“中国智造”!
产品介绍
主营业务
电力电子(HEMT、SBD)、发光二级管(LED)、激光器(LD)、功率放大器(RF PA)、外延片、晶圆等产品
产品优势
电力电子:开关电源、逆变器、BMS、直流控制器和新能源汽车快充机等
激光器(LD):平面投影(近投、全息)、测距仪、瞄准器等
发光二极管:空气、水消菌杀毒,医疗器械、便携式杀毒等
功率放大器:基站、射频器件等。
誉鸿锦产业效率革命 = 高良率 x IDM整合 x 高研发效率 x 设备降本 x 快速应用验证
Super IDM产业集群 = 上游设备材料+IDM+终端技术应用+零售生态平台
团队经验:公司拥有包括诺贝尔奖级,院士,千人等顶级的专家,联合中科院纳米所技术支持。在研发,生产工艺,产品应用拥有核心优势。企业核心技术团队已掌握了外延生长、芯片设计、制造、封测等全产业链核心技术,形成“设计+外延+芯片+制造”的IDM模式,已取得和申请专利技术140多项。
推荐产品
GaN MOS YHJ-65P150AMC广泛应用于PD快充、适配器等。
以手机快充为例,现在手机变得越来越强大,同时也要求给手机充电的适配器往更大功率、更高功率密度方向发展。而GaN的高频、高效特性正好满足此要求。
与传统Si MOSFET相比,GaN具有以下优点:
1、低Qg/Ciss:开断速度快;开关速度快,减少开关损耗;
2、低Coss/ qss:开、关速度快,开关频率高,减少开关损耗;
3 、Qrr=0:无反向恢复损失(无体二极管),降低开关噪声,更好的EMI性能;
4 、低 RDSON: 降低传导损耗。GaN的这些优点使得采用GaN的适配器尺寸更小、效率更高。
TPS5430DDAR/DC-DC电源芯片 | 1.11 | |
DS18B20+/温度传感器 | 4.39 | |
W25Q128JVSIQ/NOR FLASH | 2.1 | |
ADUM1201ARZ-RL7/数字隔离器 | 4.91 | |
STM32F030F4P6TR/单片机(MCU/MPU/SOC) | 2.24 | |
ADUM1201BRZ-RL7/数字隔离器 | 4.75 | |
STM32F103C8T6/单片机(MCU/MPU/SOC) | 4.23 | |
STM32F103RCT6/单片机(MCU/MPU/SOC) | 7.04 | |
STM32F103VCT6/单片机(MCU/MPU/SOC) | 7.8 | |
STM32F103CBT6/单片机(MCU/MPU/SOC) | 5.82 |
56万现货SKU
品类不断扩充中
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