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目前主要有两种存储芯片:NOR Flash和NAND Flash。对于大容量需求,通常会选择NAND Flash。
1,NAND Flash存在坏块。需要坏块管理、EDC/ECC以及寿命延长措施(如平均读写和垃圾回收)。
2,不同品牌的NAND Flash有不同的规格,如果更换主控器,需要重新调试驱动程序。
3,需要额外的底层驱动开发,直接管理会占用处理器资源,增加代码复杂程度。
4,物联网产品越来越小,对元器件尺寸要求更高。
SD NAND是一种安全数字NAND闪存技术,内置Flash控制器,使用通用的SD接口。它通常用于存储数据,如图像、视频、音频。也被许多开发者朋友称为贴片式TF卡、贴片式SD卡、贴片卡、焊接式SD卡、焊接式TF卡、工业级TF卡、工业级SD卡、嵌入式SD卡等
1,内置坏块管理,平均读写,垃圾回收。10W次擦写寿命,更长的擦写寿命。
2,高密度存储:与其他NAND闪存技术相比,SD NAND FLASH具有更高的存储密度,使其适用于需要大容量存储的应用。
3,接口简单:通常以标准的 SD卡形式提供,可以直接当成TF卡用,解决了主控器(例如STM32系列的MCU单片机)使用NAND FLASH、SPI NAND FLASH、eMMC等存储器时需要自行管理NAND FLASH的问题。
4,小巧的尺寸(WSON-8封装,6x8mm),节省PCB板面积。与eMMC相比pin脚更少,便于焊接。仅占用eMMC的1/3 PCB面积;并且可以减少PCB板的层数,仅需要2层板即可使用。
5,有更多的容量版本,有助于依据实际场景选型,降低成本。
创世的产品广泛应用于医疗设备,工业控制,轨道交通,安防,网络设备,IPC,执法记录仪,可视对讲,门禁考勤,平板电脑,汽车电子,电力设备,工业仪器设备,POS机,教育电子等行业。
型号 |
容量 |
工作电压 |
工作温度 |
封装 |
晶圆 |
等级 |
尺寸 |
1Gbit=128MByte |
3.3V |
-30°C至+85°C |
LGA-8 |
SLC |
商业级 |
6*8mm |
|
4Gbit=512MByte |
3.3V |
-30°C至+85°C |
LGA-8 |
SLC |
商业级 |
6*8mm |
|
32Gbit=4GByte |
3.3V |
0°C至+70° |
LGA-8 |
MLC |
商业级 |
6.2*8mm |
|
1Gbit=128MByte |
3.3V |
-40°C至+85°C |
LGA-8 |
SLC |
工业级 |
6*8mm |
|
4Gbit=512MByte |
3.3V |
-40°C至+85°C |
LGA-8 |
SLC |
工业级 |
6*8mm |
|
16Gbit=2GByte |
3.3V |
-25°C至+85°C |
LGA-8 |
pSLC |
工业级 |
6.2*8mm |
|
32Gbit=4GByte |
3.3V |
-25°C至+85°C |
LGA-8 |
MLC |
工业级 |
6.2*8mm |
|
64Gbit=8GByte |
3.3V |
-25°C至+85°C |
LGA-8 |
MLC |
工业级 |
7*8.5mm |
创世提供了方便验证的PCB测试板,便于产品的验证:SD NAND烧录板
产品功能:将SD NAND 焊接至测试板,测试板可直接插入TF卡座或读卡器进行测试及调试,预留的第二组焊盘可用于飞线。
产品尺寸:长55mm,宽24.9mm,接口长度17mm
适用产品:LGA-8, 6*8mm/6.2*8mm,SD NAND 1Gb/128MB~32Gb/4GB
准备工具:热风枪,锡膏,镊子
焊接温度:250~300℃
注意事项:加热时间不宜过长
其他:测试板上无需焊接其他器件
TPS5430DDAR/DC-DC电源芯片 | 1.16 | |
DS18B20+/温度传感器 | 4.43 | |
AD623ARZ-R7/仪表放大器 | 12.55 | |
STM32F030F4P6TR/单片机(MCU/MPU/SOC) | 2.24 | |
ULN2003ADR/达林顿晶体管阵列 | 0.3762 | |
STM32F103C8T6/单片机(MCU/MPU/SOC) | 4.24 | |
STM32F103RCT6/单片机(MCU/MPU/SOC) | 7.03 | |
OP07CDR/精密运放 | 0.4042 | |
STM32G030F6P6TR/单片机(MCU/MPU/SOC) | 2.3 | |
STM8S003F3P6TR/单片机(MCU/MPU/SOC) | 1.0351 |
56万现货SKU
品类不断扩充中
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