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2N7002ET1G

2N7002ET1G

厂商名称：ON安森美

2N7002ET1G图片

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，N沟道，60 V，310 mA，0.86 ohm，SOT-23，表面安装

英文描述：

Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

数据手册：

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2N7002ET1G概述

2N7002ET1G是采用Trench技术的N沟道小信号MOSFET，漏极至源极电压低。适用于低压侧负载开关和电平转换电路。

1.2A脉冲漏极电流

±20V栅源电压

无卤素

应用

工业，消费电子产品

2N7002ET1G中文参数

制造商:	ON Semiconductor	最大工作温度:	+ 150 C
产品种类:	MOSFET	Pd-功率耗散:	420 mW
技术:	Si	通道模式:	Enhancement
安装风格:	SMD/SMT	配置:	Single
封装 / 箱体:	SOT-23-3	高度:	0.94 mm
晶体管极性:	N-Channel	长度:	2.9 mm
通道数量:	1 Channel	晶体管类型:	1 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V	宽度:	1.3 mm
Id-连续漏极电流:	310 mA	正向跨导 - 最小值:	530 mS
Rds On-漏源导通电阻:	2.5 Ohms	下降时间:	3.6 ns
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V	产品类型:	MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V	上升时间:	1.2 ns
Qg-栅极电荷:	0.81 nC	典型关闭延迟时间:	4.8 ns
最小工作温度:	- 55 C	典型接通延迟时间:	1.7 ns

2N7002ET1G引脚图

2N7002ET1G引脚图

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