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ADR435BRZ-REEL7

厂商名称：ADI

元件分类：电压基准芯片

中文描述：

电压基准IC，3ppm/°C，5V，2mV，系列，NSOIC-8，-40°C至125°C

英文描述：

Precision Voltage Reference 5V 0.04%30mA 18 V max.8-Pin SOIC

数据手册：

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ADR435BRZ-REEL7概述

ADR435系列是XFET®电压基准系列，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用Analog Devices,Inc.的温度漂移曲率校正和额外的植入式结FET（XFET）技术，器件中的电压变化与温度的非线性达到了最小化。与埋入式齐纳基准相比，XFET基准的工作电流更低（800µA），电源电压余量更低（2V）。埋入式齐纳基准需要超过5V的净空才能工作。该器件XFET基准是5V系统的低噪声解决方案。它能够提供高达30mA的输出电流和高达-20mA的汇流。它还配备了一个微调端子，可在±0.5%的范围内调整输出电压，而不影响性能。应用包括精密数据采集系统、高分辨率数据转换器、医疗仪器、工业过程控制系统、光学控制电路和精密仪器。可采用8引脚SOIC_N封装。

超低噪声的XFET电压基准，具有拉电流与灌电流能力

宽温范围:-40°C到+125°C

宽工作范围:7V到18V

5V输出电压（典型值），±2mV/±0.04%初始精度，3ppm/°C温度系数封装

无需外部电容器

在VIN=7V至18V时，线路调节为20ppm/V，-40°C<TA<+125°C

在IL=0mA至10mA，VIN=8V，-40°C<TA<+125°C时，负载调节为15ppm/mA

低噪音（0.1Hz至10Hz）为8µV p-p

在CL=0µF时，开启稳定时间为10µs

8引脚SOIC-N封装

ADR435BRZ-REEL7中文参数

制造商:	Analog Devices Inc.	最小工作温度:	- 40 ℃
产品种类:	参考电压	最大工作温度:	+ 125 ℃
安装风格:	SMD/SMT	系列:	ADR435
封装 / 箱体:	SOIC-8	准确性:	15 ppm/mA
参考类型:	Series Precision References	高度:	1.5 mm (Max)
输出电压:	5 V	输入电压:	7 V to 18 V
初始准确度:	0.0004	长度:	5 mm (Max)
温度系数:	1 PPM / C	负载调节:	15 ppm/mA
串联VREF—输入电压—最大值:	18 V	工作电源电流:	800 uA
分流电流—最大值:	30 mA	输出电流:	30 mA