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ADR444BRZ-REEL7

厂商名称：ADI

元件分类：电压基准芯片

中文描述：

电压基准IC，3ppm/°C，4.096V,1.6mV，系列，NSOIC-8，-40°C至125°C

英文描述：

Ultralow Noise,LDO XFET®4.096V Voltage Reference w/Current Sink and Source

数据手册：

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ADR444BRZ-REEL7概述

ADR444是一款超低噪声的LDO XFET电压基准，带有灌流/源流功能。该电压基准具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用Analog Devices,Inc.的温度漂移曲率校正和额外的植入式结FET（XFET）技术，该器件的电压变化与温度的非线性关系被大大降低了。XFET基准比埋入式齐纳基准具有更好的噪声性能，XFET基准在低电源电压余量（500mV）下工作。这些特点的结合使得该器件非常适合于高端数据采集系统、光网络和医疗应用中的精密信号转换应用。应用包括精密数据采集系统、高分辨率数据转换器、电池供电的仪器、便携式医疗仪器、工业过程控制系统、精密仪器和光学控制电路。

电源电压工作范围为4.6V至18V

高输出拉电流与灌电流分别为+10mA和-5mA

典型输出电压为4.096V，初始精度为±1.6mV/0.04%（VIN=4.6V至18V，TA=25°C）

在-40°C<TA<+125°C时，温度系数为3ppm/°C（最大值）

在fIN=1KHz，VIN=4.6V至18V，TA=25°C时，纹波抑制比为-80dB

在0.1Hz至10Hz，VIN=4.6V至18V，TA=25°C时，电压噪声为1.8µV p-p

在VIN=4.6V至18V，TA=25°C时，启动沉降时间为10µs

线路调节最大为+20ppm/V(-40°C<TA<+125°C)

负载调节为±50ppm/mA(ILAD=0mA至-5mA,VIN=5.5 V,-40°C<TA<+125°C)

8引脚SOIC

N封装，-40°C至+125°C温度范围

ADR444BRZ-REEL7中文参数

制造商:	Analog Devices Inc.	最大工作温度:	+ 125 ℃
产品种类:	电压基准芯片	系列:	ADR444
安装风格:	SMD/SMT	准确性:	50 ppm/mA
封装 / 箱体:	SOIC-8	商标:	Analog Devices
参考类型:	Series Precision References	高度:	1.5 mm (Max)
输出电压:	4.096 V	输入电压:	4.6 V to 18 V
初始准确度:	0.0004	长度:	5 mm (Max)
温度系数:	1 PPM / C	负载调节:	50 ppm/mA
串联VREF—输入电压—最大值:	18 V	工作电源电流:	3.75 mA
分流电流—最大值:	10 mA	输出电流:	10 mA
最小工作温度:	- 40 ℃