收藏网址

收藏官网,优惠快人一步

您可以尝试通过快捷键 CTRL + D 加入收藏夹

|
|
0755-83865666
|
|
手机立创
|
面板定制
|
消息(0)
|

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

BOM正在分析中...
元器件商城 >
BSC028N06NS

BSC028N06NS

厂商名称:Infineon
BSC028N06NS图片
元件分类:MOS管
中文描述:
功率场效应管,MOSFET,N通道,60 V,100 A,0.0025 ohm,TDSON,表面安装
英文描述:
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
数据手册:
在线购买:立即购买
BSC028N06NS概述
BSC028N06NS是一款60V N沟道功率MOSFET,针对服务器、台式机和平板电脑充电器等开关模式电源(SMPS)中的同步整流进行了优化。MOSFET的RDS(on)比替代器件低40%。显着降低的栅极电荷和输出电荷可实现高系统效率和功率密度。OptiMOS?功率MOSFET非常适合高频开关和DC-DC转换器。

最高系统效率

更少的并联需求

增加功率密度

节省空间

非常低的电压过冲

卓越的耐热性

应用

电源管理,替代能源,电机驱动与控制,工业
BSC028N06NS中文参数
制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:TDSON-8

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:2.8 mOhms

Vgs-栅极-源极电压:-20 V,+20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V

Qg-栅极电荷:37 nC

最小工作温度:-55 C

最大工作温度:+150 C

Pd-功率耗散:83 W

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:8 ns

正向跨导-最小值:50 S

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

产品类型:MOSFET

上升时间:38 ns
BSC028N06NS引脚图
BSC028N06NS引脚图
热门型号推荐
ACT45B-510-2P-TL003 OPA2188AIDR BZV55-B6V2,115 TLE6250G BSP452 STM8S103F3P6TR GRM155R71H103KA88D LM337T/NOPB AT91RM9200-QU-002 OPA627AU/2K5 NSVMMBT2907AM3T5G REF3040AIDBZR MJH11021G MJF6388G PMBTA13,215 TLV3502AIDCNT LM2903PWR LMV331M5/NOPB CMP04FSZ LM239DR2G
您的浏览器版本过低(IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式),存在严重安全漏洞,请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
推荐您下载并使用 立创商城APP 或者最新版 谷歌浏览器火狐浏览器360浏览器搜狗浏览器QQ浏览器 的极(高)速模式进行访问。
© 2022 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有

提示

您确定要删除此收货地址的吗?

请填写订单取消原因

提示

您确定删除此收货地址吗?

成功提示

content

失败提示

content