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BSC070N10NS3G

BSC070N10NS3G

厂商名称:Infineon
BSC070N10NS3G图片
元件分类:MOS管
中文描述:
功率场效应管,MOSFET,N通道,100 V,90 A,0.0063 ohm,TDSON,表面安装
英文描述:
N-channel MOSFET Transistor,100A,100V,8-Pin TDSON
数据手册:
在线购买:立即购买
BSC070N10NS3G概述
英飞凌的100V OptiMOS?功率MOSFET可以为高效率、高功率密度的SMPS提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比,该系列在R Ds(on)和FOM(品质因数)方面均降低了30%。

特征描述

优异的开关性能

世界较低的(R Ds(on))

极低的Qg和Qgd

出色的栅极电荷x R DS(on)产品(FOM)

符合RoHS标准-无卤素

MSL1评级2

优势

环保

提高效率

极高的功率密度

减少并联

极低的板空间消耗

产品易于设计

潜在应用

AC-DC SMPS的同步整流

48V-80V系统的电机控制(即家用车辆、电动工具、卡车)

隔离式DC-DC转换器(电讯和数据通信系统)

48V系统的开关和断路器

D类音频放大器

不间断电源(UPS)
BSC070N10NS3G中文参数
制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:TDSON-8

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:90 A

Rds On-漏源导通电阻:6.3 mOhms

Vgs-栅极-源极电压:-20 V,+20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Qg-栅极电荷:55 nC

最小工作温度:-55 C

最大工作温度:+150 C

Pd-功率耗散:114 W

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:8 ns

正向跨导-最小值:36 S
BSC070N10NS3G引脚图
BSC070N10NS3G引脚图
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