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BSS123

厂商名称：ON安森美

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，N沟道，100 V，170 mA，1.2 ohm，SOT-23，表面安装

英文描述：

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

数据手册：

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BSS123概述

BSS123为N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，SOT-23封装.这一产品设计以最小化通导电阻，同时提供坚固耐用，可靠并高速的开关性能，因此BSS123适合低电压，低电流应用，如小型伺服电机控制，功率MOSFET栅极驱动器和其它开关应用.

漏极至源极电压:100V

栅-源电压：±20V

低通导电阻:1.2ohm，Vgs 10V

连续漏电流:170mA

最大功率耗散:360mW

工作结温范围:-55°C至150°C

应用

电源管理，工业，便携式器材，消费电子产品

BSS123中文参数

通道类型	N	晶体管配置	单
最大连续漏极电流	170 mA	最大栅源电压	-20 V、+20 V
最大漏源电压	100 V	每片芯片元件数目	1
封装类型	SOT-23	晶体管材料	Si
安装类型	表面贴装	最低工作温度	-55 °C
引脚数目	3	高度	0.94mm
最大漏源电阻值	6 Ω	宽度	1.3mm
通道模式	增强	最高工作温度	+150 °C
最大栅阈值电压	2.8V	长度	2.9mm
最大功率耗散	225 mW