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BSS84PH6327XTSA2

厂商名称：Infineon

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，P沟道，60 V，170 mA，8 ohm，SOT-23，表面安装

英文描述：

Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

数据手册：

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BSS84PH6327XTSA2概述

Infineon公司的BSS84P H6327是一款表面安装，P沟道逻辑电平增强型SIPMOS小信号晶体管，SOT-23封装.该器件具有dv/dt与Avalanche评级.

车用级别AEC-Q101合规

漏-源电压(Vds):-60V

栅-源电压:±20V

连续漏极电流(ld):-170mA

功率耗散:360mW

运行温度范围-55°C至150°C

Vgs-4.5V时，8ohm低导通电阻

应用

电源管理，消费电子产品，便携式器材，工业，车用

BSS84PH6327XTSA2中文参数

通道类型	P	最大栅源电压	-20 V、+20 V
最大连续漏极电流	170 mA	每片芯片元件数目	1
最大漏源电压	60 V	正向二极管电压	1.24V
封装类型	SOT-23	最低工作温度	-55 °C
安装类型	表面贴装	典型栅极电荷@Vgs	1 nC @ 10 V
引脚数目	3	长度	2.9mm
最大漏源电阻值	12 Ω	最高工作温度	+150 °C
通道模式	增强	系列	SIPMOS
最大栅阈值电压	2V	高度	0.9mm
最小栅阈值电压	1V	晶体管材料	Si
最大功率耗散	360 mW	宽度	1.3mm
晶体管配置	单