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FDB075N15A

厂商名称：ON安森美

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，N沟道，150 V，130 A，0.00625 ohm，TO-263(D2PAK)，表面安装

英文描述：

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab)D2PAK T/R

数据手册：

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FDB075N15A概述

FDB075N15A是N沟道MOSFET，使用先进的PowerTrench®工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

特性

RDS(on)=6.25m?（典型值） VGS=10V，ID=100A

快速开关

低栅极电荷，QG=77nC（典型值）

高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)

高功率和高电流处理能力

符合RoHS标准

应用

AC-DC商用电源

AC-DC商用电源-服务器和工作站

AC-DC商用电源-台式计算机

不间断电源

其他数据处理

电动自行车

FDB075N15A中文参数

通道类型	N	最大栅源电压	-20 V、+20 V
最大连续漏极电流	130 A	每片芯片元件数目	1
最大漏源电压	150 V	宽度	9.65mm
封装类型	D2PAK (TO-263)	高度	4.83mm
安装类型	表面贴装	长度	10.67mm
引脚数目	3	最高工作温度	+175 °C
最大漏源电阻值	7.5 mΩ	最低工作温度	-55 °C
通道模式	增强	系列	PowerTrench
最小栅阈值电压	2V	晶体管材料	Si
最大功率耗散	333 W	典型栅极电荷@Vgs	77 nC @ 10 V
晶体管配置	单