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FDD8896

厂商名称：ON安森美

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，N沟道，30 V，94 A，0.0047 ohm，TO-252AA，表面安装

英文描述：

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab)DPAK T/R

数据手册：

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FDD8896概述

FDD8896是使用PowerTrench®工艺生产的N沟道MOSFET。它是专门为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC-DC转换器的整体效率而设计的。它针对低栅极电荷，低RDS（ON）和快速开关速度进行了优化。

高性能Trench技术可实现极低的RDS（ON）

低栅极电荷

高功率和电流处理能力

FDD8896中文参数

通道类型	N	最大栅源电压	-20 V、+20 V
最大连续漏极电流	94 A	每片芯片元件数目	1
最大漏源电压	30 V	最高工作温度	+175 °C
封装类型	DPAK (TO-252)	长度	6.73mm
安装类型	表面贴装	宽度	6.22mm
引脚数目	3	晶体管材料	Si
最大漏源电阻值	9 mΩ	系列	PowerTrench
通道模式	增强	最低工作温度	-55 °C
最小栅阈值电压	1.2V	典型栅极电荷@Vgs	46 nC @ 10 V
最大功率耗散	80 W	高度	2.39mm
晶体管配置	单