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FDMS86101

厂商名称：ON安森美

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，N沟道，100 V，60 A，0.0063 ohm，Power 56，表面安装

英文描述：

N-Channel PowerTrench®MOSFET 100V，60A，8mΩ，3000-REEL

数据手册：

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FDMS86101概述

FDMS86101是一款100V N沟道PowerTrench®MOSFET，专门设计用于最大限度地降低导通电阻并保持低栅极电荷以实现卓越的开关性能。最新的中压功率MOSFET是结合小栅极电荷(QG)、小反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管的优化功率开关，有助于AC/DC电源同步整流的快速开关。它采用提供电荷平衡的屏蔽栅结构。通过利用这种先进技术，这些器件的FOM（品质因数(QGxRDS(ON))）比上一代低66%。新型PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或取代更高额定电压-MOSFET需要的电路，因为它可以最大限度地减少同步整流中不希望有的电压尖峰。该产品是通用的，适用于许多不同的应用。

100%用户界面测试

100%Rg测试

先进的封装和硅片组合可实现低RDS(ON)和高效率

FDMS86101中文参数

通道类型	N	最大栅源电压	-20 V、+20 V
最大连续漏极电流	80 A	每片芯片元件数目	1
最大漏源电压	100 V	系列	PowerTrench
封装类型	Power 56	最高工作温度	+150 °C
安装类型	表面贴装	晶体管材料	Si
引脚数目	8	宽度	6.25mm
最大漏源电阻值	14 mΩ	高度	1.05mm
通道模式	增强	最低工作温度	-55 °C
最小栅阈值电压	2V	长度	5.1mm
最大功率耗散	104 W	典型栅极电荷@Vgs	10 V 时，39 常闭
晶体管配置	单