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FDN338P

厂商名称：ON安森美

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，P沟道，20 V，1.6 A，0.13 ohm，SOT-23，表面安装

英文描述：

Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

数据手册：

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FDN338P概述

FDN338P是一款2.5V P沟道MOSFET，采用Fairchild先进的低压PowerTrench®工艺制造。适用于电池电源管理，负载开关，电池保护等应用。与相同尺寸的SOT23相比，SuperSOT?-3具有更低的RDS(ON)，以更高(30%)功率处理能力。

快速开关速度

高性能沟道技术，极低的Rds(ON)

应用

电源管理，工业

FDN338P中文参数

通道类型	P	晶体管配置	单
最大连续漏极电流	1.6 A	最大栅源电压	-8 V、+8 V
最大漏源电压	20 V	每片芯片元件数目	1
封装类型	SOT-23	最高工作温度	+150 °C
安装类型	表面贴装	最低工作温度	-55 °C
引脚数目	3	系列	PowerTrench
最大漏源电阻值	115 mΩ	宽度	1.4mm
通道模式	增强	高度	0.94mm
最大栅阈值电压	1.5V	典型栅极电荷@Vgs	4.4 nC @ 4.5 V
最小栅阈值电压	0.4V	晶体管材料	Si
最大功率耗散	500 mW	长度	2.92mm