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FDN342P

FDN342P

厂商名称：ON安森美

FDN342P图片

元件分类：MOS管

中文描述：

功率MOSFET，P通道，20 V，2 A，0.062 ohm，SuperSOT，表面贴装

英文描述：

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

数据手册：

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FDN342P概述

FDN342P是采用飞兆半导体先进PowerTrench®工艺的坚固门版本生产的2.5V指定P沟道MOSFET。它已针对需要各种栅极驱动电压额定值（2.5至12V）的负载开关和电池保护应用进行了优化。

高性能Trench技术可实现极低的RDS（ON）

应用

电源管理，工业

FDN342P中文参数

通道类型	P	最大栅源电压	-12 V、+12 V
最大连续漏极电流	0.083333333	每片芯片元件数目	1
最大漏源电压	20 V	高度	0.94mm
封装类型	SOT-23	最低工作温度	-55 °C
安装类型	表面贴装	晶体管材料	Si
引脚数目	3	宽度	1.4mm
最大漏源电阻值	80 mΩ	长度	2.92mm
通道模式	增强	最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.6V	典型栅极电荷@Vgs	6.3 nC @ 4.5 V
最大功率耗散	500 mW	系列	PowerTrench
晶体管配置	单

FDN342P引脚图

FDN342P引脚图

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