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FQP30N06L

FQP30N06L

厂商名称：ON安森美

FQP30N06L图片

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，N沟道，60 V，32 A，0.027 ohm，TO-220AB，通孔

英文描述：

Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab)TO-220 Tube

数据手册：

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FQP30N06L概述

FQP30N06L是QFET®N沟道增强型功率MOSFET，采用平面条带和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术专门用于降低导通电阻并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。

低栅极电荷

100%雪崩测试

低crss（典型值50pF）

±20V栅源电压

应用

电源管理，电机驱动与控制

FQP30N06L中文参数

通道类型	N	最大栅源电压	-20 V、+20 V
最大连续漏极电流	32 A	每片芯片元件数目	1
最大漏源电压	60 V	最低工作温度	-55 °C
封装类型	TO-220	典型栅极电荷@Vgs	15 nC @ 5 V
安装类型	通孔	长度	10.67mm
引脚数目	3	系列	QFET
最大漏源电阻值	45 mΩ	最高工作温度	+175 °C
通道模式	增强	晶体管材料	Si
最小栅阈值电压	1V	宽度	4.7mm
最大功率耗散	79 W	高度	16.3mm
晶体管配置	单

FQP30N06L引脚图

FQP30N06L引脚图

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