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FQP50N06

厂商名称：ON安森美

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，N沟道，60 V，50 A，0.022 ohm，TO-220，通孔

英文描述：

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab)TO-220 Tube

数据手册：

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FQP50N06概述

FQP50N06是一款60V N沟道QFET®增强模式功率MOSFET，采用平面条纹和DMOS技术生产。这项先进技术经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻，提供出色的开关性能并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。该器件非常适合基于半桥拓扑的高效开关电源，有源功率因数校正和电子灯镇流器。该器件非常适合低压应用，例如DC/DC转换器，便携式和电池供电产品的高效开关。该产品是一般用途，适用于许多不同的应用程序。

低栅极电荷

经过100％雪崩测试

改进的dv/dt功能

开关损耗改善

降低传导损耗

最高结温175°C

FQP50N06中文参数

通道类型	N	最大栅源电压	-20 V、+20 V
最大连续漏极电流	52 A	每片芯片元件数目	1
最大漏源电压	60 V	宽度	4.7mm
封装类型	TO-220AB	高度	9.4mm
安装类型	通孔	系列	QFET
引脚数目	3	最高工作温度	+175 °C
最大漏源电阻值	21 mΩ	晶体管材料	Si
通道模式	增强	长度	10.1mm
最小栅阈值电压	1V	最低工作温度	-55 °C
最大功率耗散	121 W	典型栅极电荷@Vgs	24.5 nC @ 5 V
晶体管配置	单