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IKW40N120H3

厂商名称：英飞凌

元件分类：IGBT管

中文描述：

晶体管，IGBT，80A，Vce=1200V，±20V，3引脚，TO-247封装

英文描述：

Trans IGBT Chip N-CH 400V 80A 483000mW 3-Pin(3+Tab)TO-247 Tube

数据手册：

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IKW40N120H3概述

IKW40N120H3是一款1200V IGBT，带有快速恢复反并联二极管，设计用于在频率低于70kHz的应用中替代平面MOSFET.该系列产品的关断开关特性与MOSFET相似，因此可实现低关断损耗.分立式IGBT非常适用于硬开关应用，软开关应用，以及其他谐振应用.

低开关损耗，高效率

快速开关性能，低EMI辐射

可选择低栅极电阻(低至5R)，同时保持出色的开关性能

短路能力

优秀的性能

低开关与传导损耗

应用

电源管理，替代能源

IKW40N120H3中文参数

最大连续集电极电流	80 A	晶体管配置	单
最大集电极-发射极电压	1200 V	长度	16.03mm
最大栅极发射极电压	±20V	宽度	5.16mm
最大功率耗散	483 W	高度	21.1mm
封装类型	TO-247	尺寸	16.03 x 5.16 x 21.1mm
安装类型	通孔	最低工作温度	-40°C
通道类型	N	最高工作温度	+175 °C
引脚数目	3