IRF3710STRLPBF中文资料_PDF数据手册_参数_引脚图

IRF3710STRLPBF

厂商名称：Infineon

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，N通道，100V，57A，0.023ohm，TO-263(D2PAK)，表面安装

英文描述：

Power Field-Effect Transistor，57A I(D)，100V，0.023ohm，1-Element，N-Channel，Silicon，Metal-oxide Semiconductor FET，TO-263AB，LEAD FREE，PLASTIC，D2PAK-3

数据手册：

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IRF3710STRLPBF概述

IRF3710STRLPBF采用先进Advanced工艺技术，可在每硅片面积实现极低的导通电阻。它适用于高电流应用、因为其内部连接电阻低、在典型表面安装应用中可耗散高达2.0w。

优势

用于宽SOA的平面单元结构

针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化

符合JEDEC标准的产品认证

硅针对开关低于<100kHz的应用进行了优化

行业标准的表面贴装电源封装

高载流能力封装（高达195 A，取决于芯片尺寸）

可波峰焊

IRF3710STRLPBF中文参数

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:TO-252-3

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:57 A

Rds On-漏源导通电阻:23 mOhms

Vgs-栅极-源极电压:-20 V，+20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Qg-栅极电荷:130 nC

最小工作温度:-55 C

最大工作温度:+175 C

Pd-功率耗散:200 W

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:47 ns

正向跨导-最小值:32 S

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

产品类型:MOSFET

上升时间:58 ns

晶体管类型:1 N-Channel

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:12 ns

宽度:6.22 mm

IRF3710STRLPBF引脚图