IRF530NPBF中文资料_PDF数据手册_参数_引脚图

元器件商城 >

IRF530NPBF

厂商名称：Infineon

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, 通孔

英文描述：

N-Channel MOSFET，17 A，100 V HEXFET，3-Pin TO-220AB Infineon

数据手册：

在线购买：立即购买

IRF530NPBF概述

Infineon公司的IRF530NPBF是一款100V单N沟道HEXFET功率MOSFET，TO-220AB封装.该MOSFET具有极低的单位面积导通电阻，动态dv/dt额定值，坚固耐用，快速开关，以及完全雪崩认证.这些功率MOSFET具有极高的效率和可靠性，可用于多种应用.

漏极至源极电压:100V

栅-源电压：±20V

Vgs=10V时，导通电阻Rds(on)为90mohm

25°C功率耗散Pd:70W

Vgs 10V 25°C时，连续漏电流Id:17A

工作结温范围:-55°C至175°C

应用

电源管理，工业，便携式器材，消费电子产品

IRF530NPBF中文参数

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装/箱体:TO-220-3

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:17 A

Rds On-漏源导通电阻:90 mOhms

Vgs-栅极-源极电压:-20 V，+20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Qg-栅极电荷:24.7 nC

最小工作温度:-55 C

最大工作温度:+175 C

Pd-功率耗散:79 W

通道模式:Enhancement

晶体管类型:1 N-Channel

IRF530NPBF引脚图