IRF540NPBF中文资料_PDF数据手册_参数_引脚图

元器件商城 >

IRF540NPBF

厂商名称：英飞凌

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，N沟道，100 V，33 A，0.044 ohm，TO-220AB，通孔

英文描述：

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Full-Pak Tube

数据手册：

在线购买：立即购买

IRF540NPBF概述

International Rectifier公司的IRF540NPBF为100V单路N通道HEXFET功率MOSFET，TO-220AB封装.此MOSFET具有极低的每硅片区面积电阻，动态的dv/dt评级，坚固耐用的快速切换以及全额定雪崩，著名的功率MOSFET提供极高的效率和稳定性，用于多种应用程序.

漏极至源极电压:100V

栅-源电压：±20V

10V通导电阻Rds(on):44m欧

25°C功率耗散Pd:130W

Vgs 10V和25°C持续漏电流Id:33A

工作结温范围:-55°C至175°C

应用

电源管理，工业，便携式器材，消费电子产品

IRF540NPBF中文参数

通道类型	N	晶体管配置	单
最大连续漏极电流	33 A	最大栅源电压	-20 V、+20 V
最大漏源电压	100 V	每片芯片元件数目	1
封装类型	TO-220AB	晶体管材料	Si
安装类型	通孔	长度	10.54mm
引脚数目	3	系列	HEXFET
最大漏源电阻值	44 mΩ	高度	8.77mm
通道模式	增强	最低工作温度	-55 °C
最大栅阈值电压	4V	典型栅极电荷@Vgs	71 nC @ 10 V
最小栅阈值电压	2V	最高工作温度	+175 °C
最大功率耗散	130 W	宽度	4.69mm