温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确，当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式，请检查后重新上传

BOM正在分析中...

元器件商城 >

IRF630NPBF

IRF630NPBF

厂商名称：Infineon

IRF630NPBF图片

元件分类：MOS管

中文描述：

MOSFET，HEXFET系列，N沟道，Si，Vds=200 V，9.3 A，3引脚TO-220AB封装

英文描述：

Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

数据手册：

在线购买：立即购买

IRF630NPBF概述

IRF630NPBF是一款200V单N沟道HEXFET®功率MOSFET，具有极低的每硅面积导通电阻和使用先进平面技术的快速开关性能。

175°C工作温度

完全雪崩等级

动态dV/dt额定值

易于并行

简单的驱动要求

应用

电源管理

IRF630NPBF中文参数

通道类型	N	晶体管配置	单
最大连续漏极电流	9.3 A	最大栅源电压	-20 V、+20 V
最大漏源电压	200 V	每片芯片元件数目	1
封装类型	TO-220AB	晶体管材料	Si
安装类型	通孔	宽度	4.69mm
引脚数目	3	长度	10.54mm
最大漏源电阻值	300 mΩ	最高工作温度	+175 °C
通道模式	增强	高度	8.77mm
最大栅阈值电压	4V	典型栅极电荷@Vgs	35 nC @ 10 V
最小栅阈值电压	2V	最低工作温度	-55 °C
最大功率耗散	82 W	系列	HEXFET

IRF630NPBF引脚图

IRF630NPBF引脚图

热门型号推荐

您的浏览器版本过低（IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式），存在严重安全漏洞，请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
推荐您下载并使用立创商城APP 或者最新版谷歌浏览器、火狐浏览器、360浏览器、搜狗浏览器、QQ浏览器的极（高）速模式进行访问。

海量现货

56万现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站

面板定制	MRO工业品	嘉立创社区	立创ERP	嘉立创FPC	立创电子设计大赛	立创开源硬件	Global Website LCSC
中信华PCB

© 2022 深圳市立创电子商务有限公司版权所有

粤公网安备 44030402002194号

粤ICP备13005967号

提示

您确定要删除此收货地址的吗？

请填写订单取消原因

提示

您确定删除此收货地址吗？

成功提示

content

失败提示

content