IRF640NPBF中文资料_PDF数据手册_参数_引脚图

IRF640NPBF

厂商名称：英飞凌

元件分类：MOS管

中文描述：

英飞凌Infineon MOSFET,HEXFET系列,N沟道,Si,Vds=200 V,18 A,3引脚TO-220AB封装

英文描述：

Power Field-Effect Transistor,18A I(D),200V,0.15ohm,1-Element,N-Channel,Silicon,Metal-Oxide Semiconductor FET,TO-220AB,LEAD FREE,PLASTIC PACKAGE-3

数据手册：

在线购买：立即购买

IRF640NPBF概述

英飞凌公司的IRF640NPBF是一款200V单N沟道HEXFET功率MOSFET,TO-220AB封装.此MOSFET具有极低的单位面积导通电,额定动态dv/dt,耐用的快速开关以及全雪崩额定,功率MOSFET提供极高的效率和稳定性,用于多种应用.
漏极至源极电压:200V
栅-源电压：±20V
导通电阻Rds(on)为150mohm
25°C功率耗散Pd:150W
Vgs 10V 25°C时,连续漏电流Id:18A
工作结温范围:-55°C至175°C
应用范围
电源管理,工业,便携式器材,消费电子产品

IRF640NPBF中文参数

通道类型	N	最大功率耗散	150 W
最大连续漏极电流	18 A	晶体管配置	单
最大漏源电压	200 V	最大栅源电压	-20 V、+20 V
封装类型	TO-220AB	每片芯片元件数目	1
安装类型	通孔	高度	8.77mm
引脚数目	3	系列	HEXFET
最大漏源电阻值	150 mΩ	最低工作温度	-55 °C
通道模式	增强	最高工作温度	+175 °C
最大栅阈值电压	4V	晶体管材料	Si
最小栅阈值电压	2V	典型栅极电荷@Vgs	67 nC @ 10 V