IRF840PBF中文资料_PDF数据手册_参数_引脚图

元器件商城 >

IRF840PBF

厂商名称：Vishay

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，N沟道，500 V，8 A，0.85 ohm，TO-220AB，通孔

英文描述：

Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB

数据手册：

在线购买：立即购买

IRF840PBF概述

IRF840PBF是一款500V N沟道功率MOSFET，第三代HEXFET®功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计和低导通电阻的最佳组合。该封装普遍适用于功率耗散水平约为50W的所有商业工业应用。

动态dV/dt额定值

重复雪崩额定值

175°C工作温度

易于并行

简单的驱动要求

应用

电源管理

IRF840PBF中文参数

制造商:	Vishay	Id-连续漏极电流:	8A
产品种类:	MOSFET	Rds On-漏源导通电阻:	850 mOhms
技术:	Si	Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
安装风格:	Through Hole	Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
封装 / 箱体:	TO-220AB-3	Qg-栅极电荷:	63 nC
晶体管极性:	N-Channel	最小工作温度:	- 55 C
通道数量:	1 Channel	最大工作温度:	+ 150 C
Vds-漏源极击穿电压:	500 V	Pd-功率耗散:	125 W