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IRF840

厂商名称：Vishay

元件分类：MOS管

中文描述：

N沟道功率MOSFET，500V

英文描述：

MOSFET，500V

数据手册：

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IRF840概述

IRF840是N沟道功率MOSFET，其可切换负载高达500V。Mosfet可以切换消耗高达8A的负载，并且可以通过在栅极和源极引脚之间提供10V的栅极阈值电压来使其导通。由于mosfet用于切换高电流高压负载，因此它具有相对较高的栅极电压，因此不能直接与CPU的I/O引脚一起使用。

特点

N沟道功率MOSFET

连续漏极电流(ID)：8A

栅极阈值电压(VGS-th)为10V(极限=±20V)

漏极至源极击穿电压：500V

漏源电阻(RDS)为0.85欧姆

上升时间和下降时间分别为23nS和20nS

采用To-220封装

应用领域

切换大功率设备

逆变电路

DC-DC转换器

电机控制速度

LED调光器或闪光灯

高速开关应用

IRF840中文参数

产品型号	IRF840
制造商	International Rectifier
符合REACH	是
组态	单
最大漏极电流(Abs)(ID)	8.0安
最大漏极电流(ID)	8.0安
最大电阻下的漏源	0.85欧姆
DS击穿电压-最小值	500.0伏
场效应管技术	金属氧化物半导体
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	00
元素数	1.0
端子数	3
操作模式	增强模式
最高工作温度	150℃
包装主体材料	塑料/环氧树脂
包装形状	长方形
包装形式	法兰安装
峰值回流温度(℃)	225
极性/通道类型	N通道
功耗环境最大值	125.0瓦
最大功率耗散(Abs)	125.0瓦
脉冲漏极电流最大值(IDM)	32.0安
子类别	FET通用电源
终端完成	锡/铅(Sn / Pb)
终端表格	贯穿孔
终端位置	单
时间@峰值回流温度-最大值(秒)	30
晶体管应用	交换
晶体管元件材料	硅