IRFP4332PBF
- 厂商名称Infineon
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，250 V，57 A，0.029 ohm，TO-247AC，通孔
- 英文描述Trans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab)TO-247AC Tube
- 数据手册IRFP4332PBF数据手册Datasheet PDF
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IRFP4332PBF概述
IRFP4332PBF是一款HEXFET®单N沟道PDP开关功率MOSFET，专为等离子显示面板中的维持，能量回收和通过开关应用而设计。它利用最新的处理技术来实现每硅面积的低导通电阻和低EPULSE等级。该MOSFET的其他特性是175°C的工作结温和高重复峰值电流能力。它的结合使该MOSFET成为用于PDP驱动应用的高效，坚固和可靠的器件。
先进的工艺技术
低EPULSE额定值以减少功耗
低Qg，快速响应
高重复峰值电流能力，可确保可靠运行
下降和上升时间短，可快速切换
重复的雪崩能力，具有鲁棒性和可靠性
应用
消费电子产品，电源管理
先进的工艺技术
低EPULSE额定值以减少功耗
低Qg，快速响应
高重复峰值电流能力，可确保可靠运行
下降和上升时间短，可快速切换
重复的雪崩能力，具有鲁棒性和可靠性
应用
消费电子产品，电源管理
IRFP4332PBF中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 57 A | 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 最大漏源电压 | 250 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | TO-247AC | 高度 | 20.3mm |
| 安装类型 | 通孔 | 典型栅极电荷@Vgs | 99 nC @ 10 V |
| 引脚数目 | 3 | 最低工作温度 | -40 °C |
| 最大漏源电阻值 | 33 mΩ | 系列 | HEXFET |
| 通道模式 | 增强 | 晶体管材料 | Si |
| 最大栅阈值电压 | 5V | 宽度 | 5.3mm |
| 最小栅阈值电压 | 3V | 长度 | 15.9mm |
| 最大功率耗散 | 360 W | 最高工作温度 | +175 °C |
IRFP4332PBF引脚图
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