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IRFP4668PBF

厂商名称：Infineon

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，N沟道，200 V，130 A，0.008 ohm，TO-247AC，通孔

英文描述：

Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab)TO-247AC Tube

数据手册：

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IRFP4668PBF概述

国际整流器公司的IRFP4668PBF是200V单N沟道HEXFET功率MOSFET，采用TO-247AC封装。这款MOSFET具有改善的栅极，雪崩特性和动态dV/dt坚固性，快速开关的特点。适用于SMPS，不间断电源，高速电源开关，硬开关和高频电路中的高效同步整流。

增强的体二极管dV/dt和dI/dt功能

全面表征的电容和雪崩SOA

漏极至源极电压（Vds）为200V

栅极至源极电压为±30V

Vgs 10V时导通电阻Rds（on）为8mohm

25°C时520W的功耗Pd

工作结温范围为-55°C至175°C

应用

电源管理，工业，便携式器材，消费电子产品

IRFP4668PBF中文参数

通道类型	N	晶体管配置	单
最大连续漏极电流	130 A	最大栅源电压	-30 V、+30 V
最大漏源电压	200 V	每片芯片元件数目	1
封装类型	TO-247AC	最高工作温度	+175 °C
安装类型	通孔	长度	15.87mm
引脚数目	3	系列	HEXFET
最大漏源电阻值	10 mΩ	最低工作温度	-55 °C
通道模式	增强	典型栅极电荷@Vgs	161 nC @ 10 V
最大栅阈值电压	5V	高度	20.7mm
最小栅阈值电压	3V	宽度	5.31mm
最大功率耗散	520000 mW	晶体管材料	Si