IRLML6401TRPBF中文资料_PDF数据手册_参数_引脚图

IRLML6401TRPBF

厂商名称：英飞凌

元件分类：MOS管

中文描述：

英飞凌Infineon MOSFET,HEXFET系列,P沟道,Si,Vds=12 V,4.3 A,3引脚微型封装

英文描述：

Power Field-Effect Transistor,4.3A I(D),12V,0.05ohm,1-Element,P-Channel,Silicon,Metal-oxide Semiconductor FET,LEAD FREE,MICRO-3

数据手册：

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IRLML6401TRPBF概述

英飞凌IRLML6401TRPBF是一款-12V单P沟道HEXFET功率MOSFET,与现有表面安装技术兼容.该MOSFET具有更高的可靠性,易于制造.
无卤素
MSL1,工业认证
兼容多个供应商
环保型
沟道MOSFET技术
±8V栅-源电压
0.01W/°C线性降额因子
应用范围
电源管理

IRLML6401TRPBF中文参数

通道类型	P	晶体管配置	单
最大连续漏极电流	4.3 A	最大栅源电压	-8 V、+8 V
最大漏源电压	12 V	每片芯片元件数目	1
封装类型	微型	典型栅极电荷@Vgs	10 nC @ 5 V
安装类型	表面贴装	宽度	1.4mm
引脚数目	3	系列	HEXFET
最大漏源电阻值	50 mΩ	高度	1.02mm
通道模式	增强	最低工作温度	-55 °C
最大栅阈值电压	0.95V	长度	3.04mm
最小栅阈值电压	0.4V	晶体管材料	Si
最大功率耗散	1.3 W	最高工作温度	+150 °C