IRLML6402TRPBF中文资料_PDF数据手册_参数_引脚图

IRLML6402TRPBF

厂商名称：英飞凌

元件分类：MOS管

中文描述：

英飞凌Infineon MOSFET,HEXFET系列,P沟道,Si,Vds=20 V,3.7 A,3引脚SOT-23封装

英文描述：

Power Field-Effect Transistor,3.7A I(D),20V,0.065ohm,1-Element,P-Channel,Silicon,Metal-Oxide Semiconductor FET,TO-236AB,LEAD FREE,MICRO-3

数据手册：

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IRLML6402TRPBF概述

英飞凌IRLML6402PBF是一款-20V单P沟道HEXFET功率MOSFET,Micro3(SOT-23)封装.该MOSFET具有极低的单位面积导通电阻,坚固耐用,开关速度快,因此功率MOSFET可提供极高的效率与可靠性,可用于多种应用,例如电池和负载管理,便携式电子设备,PCMCIA卡,并且非常适合印刷电路板空间有限的应用.

漏极至源极电压(Vds):-20V

栅-源电压:±12V

Vgs-2.5V时,电阻Rds(on)为80mohm

25°C功率耗散Pd:1.3W

Vgs-4.5V 25°C时,连续漏电流Id:-3.7A

工作结温范围:-55°C至150°C

0.01W/°C线性降额因子

应用范围

电源管理,工业,便携式器材,消费电子产品

IRLML6402TRPBF中文参数

通道类型	P	晶体管配置	单
最大连续漏极电流	3.7 A	最大栅源电压	-12 V、+12 V
最大漏源电压	20 V	每片芯片元件数目	1
封装类型	SOT-23	典型栅极电荷@Vgs	8 nC @ 5 V
安装类型	表面贴装	最低工作温度	-55 °C
引脚数目	3	晶体管材料	Si
最大漏源电阻值	65 mΩ	长度	3.04mm
通道模式	增强	最高工作温度	+150 °C
最大栅阈值电压	1.2V	系列	HEXFET
最小栅阈值电压	0.4V	宽度	1.4mm
最大功率耗散	1.3 W	高度	1.02mm