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IRLR8726PBF

厂商名称：Infineon

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，N沟道，30 V，86 A，0.004 ohm，TO-252(DPAK)，表面安装

英文描述：

MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

数据手册：

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IRLR8726PBF概述

IRLR8726PBF是一款30V单N通道HEXFET®功率MOSFET，具有每沟道硅面积极低的导通电阻，并使用Trench MOSFET技术实现了快速开关性能。适用于高频同步降压，用于计算机处理器电源的转换器，具有同步整流的高频隔离式DC-DC转换器，适用于电信和工业用途。

在4.5V VGS时具有非常低的RDS（ON）

超低栅极阻抗

全面表征雪崩电压和电流

应用

电源管理，计算机和计算机周边，通信与网络，工业

IRLR8726PBF中文参数

通道类型	N	晶体管配置	单
最大连续漏极电流	86 A	最大栅源电压	-12 V、+12 V
最大漏源电压	30 V	每片芯片元件数目	1
封装类型	DPAK (TO-252)	晶体管材料	Si
安装类型	表面贴装	最低工作温度	-55 °C
引脚数目	3	典型栅极电荷@Vgs	15 nC @ 4.5 V
最大漏源电阻值	6 mΩ	长度	6.73mm
通道模式	增强	宽度	6.22mm
最大栅阈值电压	2.35V	高度	2.39mm
最小栅阈值电压	1.35V	系列	HEXFET
最大功率耗散	75000 mW	最高工作温度	+175 °C