L6388ED013TR中文资料_PDF数据手册_参数_引脚图

元器件商城 >

L6388ED013TR

厂商名称：ST意法半导体

元件分类：栅极驱动器

中文描述：

MOSFET驱动器,半桥,9.1 V至17 V电源,650 mA输出,160 ns延迟,SOIC-8

英文描述：

Dual MOSFET Power Driver 400(Source)mA,650(Sink)mA Half Bridge,Maximum of 17 V

数据手册：

在线购买：立即购买

L6388ED013TR概述

L6388E是一款高压栅极驱动器，采用BCD?"离线"技术制造，能够驱动功率MOSFET/IGBT器件的半桥。高端（浮动）部分能够在高达600V的电压轨上工作。由于集成了互锁功能，两个器件的输出可以分别灌入和灌出650 mA和400 mA，并且不能同时被驱动到高电平。死锁功能保证了进一步防止输出交叉传导。

L6388E器件有两个输入和两个输出引脚，并保证输出与输入同相位切换。逻辑输入与CMOS/TTL兼容（3.3 V、5 V和15 V），以方便与控制设备的连接。

自举二极管集成在驱动器中，使得解决方案更加紧凑和可靠。

L6388E器件在两个电源电压（VCC和VBOOT）上都有欠压保护，确保对电源线上的电压下降提供更大的保护。

L6388ED013TR中文参数

制造商:	STMicroelectronics	电源电压-最大:	17 V
产品种类:	栅极驱动器	上升时间:	70 ns
产品:	Half-Bridge Drivers	下降时间:	40 ns
类型:	High-Side, Low-Side	最小工作温度:	- 45 C
安装风格:	SMD/SMT	最大工作温度:	+ 125 C
封装 / 箱体:	SOIC-8	系列:	L6388E
激励器数量:	2 Driver	逻辑类型:	CMOS, TTL
输出端数量:	1 Output	工作电源电流:	450 uA
输出电流:	650 mA	工作电源电压:	15 V
电源电压-最小:	- 300 mV	Pd-功率耗散:	750 mW