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MC1413BDR2G

MC1413BDR2G

厂商名称:ON安森美
MC1413BDR2G图片
元件分类:达林顿管
中文描述:
达林顿管,NPN,最大连续集电极电流500 mA,SOIC封装,表面贴装,16引脚,每片7芯片,Vce=50 V
英文描述:
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 16-Pin SOIC T/R
数据手册:
在线购买:立即购买
MC1413BDR2G概述
MC1413BDR2G是NPN大电流达林顿双极晶体管阵列,适用于驱动各种工业和消费类应用中的灯,继电器或打印机锤。它具有高击穿电压,内部抑制二极管可确保避免与感性负载相关的问题。峰值浪涌电流达到500mA,可以驱动白炽灯。带有2.7kR串联输入电阻的器件非常适合使用5V TTL或CMOS逻辑的系统。

高压

-40至85°C工作环境温度范围

应用

照明,电源管理,消费电子产品,工业
MC1413BDR2G中文参数
晶体管类型 NPN 每片芯片元件数目 7
最大连续集电极电流 500 mA 最小直流电流增益 1000
最大集电极-发射极电压 50 V 最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V
最大发射极-基极电压 5 V 长度 10mm
封装类型 SOIC 最高工作温度 +85 °C
安装类型 表面贴装 尺寸 10 x 4 x 1.5mm
引脚数目 16 宽度 4mm
晶体管配置 共发射极 高度 1.5mm
最低工作温度 -40 °C
MC1413BDR2G引脚图
MC1413BDR2G引脚图
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