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MMBT5551LT3G

MMBT5551LT3G

厂商名称：Onsemi

MMBT5551LT3G图片

元件分类：三极管

中文描述：

高电压 NPN 双极晶体管

英文描述：

High Voltage NPN Bipolar Transistor,SOT-23(TO-236)3 LEAD,10000-REEL

数据手册：

在线购买：立即购买

MMBT5551LT3G概述

此高电压NPN双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用SOT-23封装，适用于低功率表面贴装应用。

特性

小型SOT-23表面贴装封装可节省电路板空间

用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用的S字头；经AEC-Q101认证并可进行PPAP认证

MMBT5551LT3G中文参数

制造商:	onsemi	发射极 - 基极电压 VEBO:	6 V
产品种类:	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	集电极—射极饱和电压:	200 mV
安装风格:	SMD/SMT	最大直流电集电极电流:	600 mA
封装 / 箱体:	SOT-23-3	Pd-功率耗散:	225 mW
晶体管极性:	NPN	增益带宽产品fT:	-
配置:	Single	最小工作温度:	- 55 C
集电极—发射极最大电压 VCEO:	160 V	最大工作温度:	+ 150 C
集电极—基极电压 VCBO:	180 V

MMBT5551LT3G引脚图

MMBT5551LT3G引脚图

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