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MMBTH81

MMBTH81

厂商名称：Onsemi

MMBTH81图片

元件分类：双极晶体管

中文描述：

晶体管双极-射频, PNP, 20 V, 600 MHz, 225 mW, -50 mA, SOT-23

英文描述：

PNP 20V 50mA PNP

数据手册：

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MMBTH81概述

MMBTH81是一款PNP RF晶体管，设计用于250mHz以下的一般RF放大器和混频器应用，集电极电流范围为1至30mA。

20V集电极发射极电压

20V集电极-基极电压

3V发射极-基极电压

50mA连续集电极电流

应用

工业射频通信,电源管理

MMBTH81中文参数

制造商:	onsemi	最大工作温度:	+ 150℃
产品种类:	射频(RF)双极晶体管	配置:	Single
系列:	MMBTH81	安装风格:	SMD/SMT
晶体管类型:	Bipolar	封装 / 箱体:	SOT-23-3
技术:	Si	集电极—基极电压 VCBO:	20 V
晶体管极性:	PNP	直流电流增益 hFE 最大值:	60 at 5 mA at 10 V
工作频率:	600 MHz	增益带宽产品fT:	600 MHz (Min)
直流集电极/Base Gain hfe Min:	60	高度:	0.93 mm
集电极—发射极最大电压 VCEO:	20 V	长度:	2.92 mm
发射极 - 基极电压 VEBO:	3 V	最大直流电集电极电流:	50 mA
集电极连续电流:	50 mA	Pd-功率耗散:	225 mW
最小工作温度:	- 55℃

MMBTH81引脚图

MMBTH81引脚图

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