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MMUN2214LT1G

MMUN2214LT1G

厂商名称:ON安森美
MMUN2214LT1G图片
元件分类:三极管
中文描述:
NPN套件,100 mA,Vce=50 V,10 kΩ,电阻比:0.21,3引脚SOT-23封装
英文描述:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
数据手册:
在线购买:立即购买
MMUN2214LT1G概述
MMUN2214LT1G是一款PNP数字晶体管,设计用于替代单器件及外部电阻偏置阵列。偏置电阻晶体管(BRT)包含1个晶体管和偏置阵列,由2个电阻器,1个串联基极电阻器,和1个基极发射极电阻器组成。BRT将它们集成到单体设备上。

简化电路设计

减少电路板占用空间

减少组件数量

应用

工业,电源管理
MMUN2214LT1G中文参数
晶体管类型 NPN 晶体管配置
每片芯片元件数目 1 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
最大连续集电极电流 100 mA 典型电阻比 0.21
最大集电极-发射极电压 50 V 长度 2.9mm
典型输入电阻器 10 kΩ 宽度 1.3mm
安装类型 表面贴装 最低工作温度 -55 °C
封装类型 SOT-23 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.94mm
引脚数目 3 最高工作温度 +150 °C
最小直流电流增益 80 高度 0.94mm
MMUN2214LT1G引脚图
MMUN2214LT1G引脚图
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