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MMUN2233LT1G

厂商名称：ON安森美

元件分类：三极管

中文描述：

晶体管，双极预偏置/数字，BRT，单路NPN，50 V，100 mA，4.7 kohm，47 kohm，0.1电阻比率

英文描述：

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R

数据手册：

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MMUN2233LT1G概述

MMUN2233LT1G是带有单片偏置电阻器网络的NPN晶体管。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个具有单片偏置网络的晶体管，该偏置网络由两个电阻，一个串联基极电阻和一个基极发射极电阻组成。BRT通过将它们集成到单个设备中来消除这些单独的组件。BRT的使用可以减少系统成本和电路板空间。

简化电路设计

减少组件数量

符合AEC-Q101

具备PPAP

应用

工业

MMUN2233LT1G中文参数

晶体管类型	NPN	晶体管配置	单
每片芯片元件数目	1	最大集电极-发射极饱和电压	0.25 V
最大连续集电极电流	100 mA	典型电阻比	0.1
最大集电极-发射极电压	50 V	最低工作温度	-55 °C
典型输入电阻器	4.7 kΩ	尺寸	2.9 x 1.3 x 0.94mm
安装类型	表面贴装	宽度	1.3mm
封装类型	SOT-23	最高工作温度	+150 °C
引脚数目	3	高度	0.94mm
最小直流电流增益	80	长度	2.9mm