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NCP5106BDR2G

厂商名称：Onsemi

元件分类：栅极驱动器

中文描述：

栅极驱动器HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR

英文描述：

MOSFET/IGBT Driver,High Side and Low Side,10V to 20V Supply,500mA Out,100ns Delay,SOIC-8

数据手册：

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NCP5106BDR2G概述

NCP5106是一款高压栅极驱动器集成电路，提供两个输出端，可直接驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT，采用半桥配置B版或任何其他高压侧+低压侧配置A版。

该驱动器采用自举技术，确保正确驱动高压侧功率开关。

应用

半桥电源转换器

任何互补驱动转换器（不对称半桥、有源钳位）（仅限A版本）。

全桥转换器

特点

高电压范围：高达600 V

dV/dt抗扰度±50 V/nsec

栅极驱动电源范围：10 V至20 V

高、低驱动输出

输出源/汇流能力250 mA/500 mA

兼容3.3 V和5 V输入逻辑

输入引脚电压摆幅高达Vcc

两个通道之间的传播延迟匹配

输出与输入同相

独立逻辑输入，适合所有拓扑结构（A版）

具有100 ns内部固定死区时间的交叉传导保护（B版）

双通道欠压锁定（UVLO）

引脚对引脚兼容行业标准

NCP5106BDR2G中文参数

制造商:	onsemi	电源电压-最小:	- 300 mV
产品种类:	栅极驱动器	电源电压-最大:	20 V
产品:	IGBT, MOSFET Gate Drivers	上升时间:	85 ns
类型:	Half-Bridge	下降时间:	35 ns
安装风格:	SMD/SMT	最小工作温度:	- 40 ℃
封装 / 箱体:	SOIC-8	最大工作温度:	+ 125 ℃
激励器数量:	2 Driver	系列:	NCP5106
输出端数量:	2 Output	工作电源电流:	5 mA
输出电流:	500 mA	输出电压:	700 mV