NTGS3443T1G中文资料_PDF数据手册_参数_引脚图

元器件商城 >

NTGS3443T1G

厂商名称：ON安森美

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，P沟道，20 V，3.1 A，0.058 ohm，TSOP，表面安装

英文描述：

Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP T/R

数据手册：

在线购买：立即购买

NTGS3443T1G概述

NTGS3443T1G是P沟道功率MOSFET，提供-20V漏源电压和-2.2A连续漏电流。它适用于便携式和电池供电产品、蜂窝和无绳电话以及PCMCIA卡的电源管理。

超低RDS（ON）

更高的效率延长电池寿命

微型表面贴装封装

-55至150°C工作温度范围

应用

便携式器材，消费电子产品，电源管理，工业

NTGS3443T1G中文参数

通道类型	P	最大栅源电压	+12 V
最大连续漏极电流	2.2 A	每片芯片元件数目	1
最大漏源电压	20 V	典型栅极电荷@Vgs	7.5 nC @ 4.5 V
封装类型	TSOP	长度	3.1mm
安装类型	表面贴装	汽车标准	AEC-Q101
引脚数目	6	最高工作温度	+150 °C
最大漏源电阻值	100 mΩ	最低工作温度	-55 °C
通道模式	增强	高度	1mm
最大功率耗散	2 W	宽度	3mm
晶体管配置	单