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NTGS5120PT1G

厂商名称：Onsemi

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管,MOSFET,P通道,60 V,2.5 A,0.072 ohm,TSOP,表面安装

英文描述：

P-channel MOSFET Transistor,2.9 A,-60 V,6-pin TSOP

数据手册：

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NTGS5120PT1G概述

NTGS5120PT1G是安森美生成的一款单P沟道功率MOSFET，主要特性：60 V V(BR)DSS，低RDS(on)，采用TSOP-6封装，4.5V栅极等级。功能应用：负载开关、打印机和通信设备的电源开关、低电流逆变器和DC-DC、低电流逆变器和DC-DC等。

终端应用：

打印机、PC、调制解调器、机顶盒以及其他计算和数字消费产品

NTGS5120PT1G中文参数

制造商:	onsemi	Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
产品种类:	MOSFET	Qg-栅极电荷:	18.1 nC
技术:	Si	最小工作温度:	- 55 C
安装风格:	SMD/SMT	最大工作温度:	+ 150 C
封装 / 箱体:	TSOP-6	Pd-功率耗散:	1.4 W
晶体管极性:	P-Channel	通道模式:	Enhancement
通道数量:	1 Channel	配置:	Single
Vds-漏源极击穿电压:	60 V	下降时间:	4.9 ns
Id-连续漏极电流:	2.5 A	上升时间:	4.9 ns
Rds On-漏源导通电阻:	110 mOhms	典型关闭延迟时间:	38 ns
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V	典型接通延迟时间:	8.7 ns