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NTR4502PT1G

厂商名称：ON安森美

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，P沟道，30 V，1.95 A，0.2 ohm，SOT-23，表面安装

英文描述：

Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R

数据手册：

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NTR4502PT1G概述

NTR4502PT1G是一个P沟道功率MOSFET，提供-30V的漏源电压和-1.95A的连续漏电流。它适用于DC到DC的转换，便携式计算机和计算设备的负载/电源开关，主板，笔记本电脑，便携式摄像机，数码相机和电池充电电路。

领先的平面技术，可实现低栅极电荷/快速切换

低RDS（ON）可降低传导损耗

表面贴装，占地面积小（3 x 3mm）

-55至150°C的工作结温范围

应用

电源管理，便携式器材，计算机和计算机周边，消费电子产品，工业

NTR4502PT1G中文参数

通道类型	P	晶体管配置	单
最大连续漏极电流	1.9 A	最大栅源电压	-20 V、+20 V
最大漏源电压	30 V	每片芯片元件数目	1
封装类型	SOT-23	宽度	1.3mm
安装类型	表面贴装	典型栅极电荷@Vgs	6 nC @ 10 V
引脚数目	3	长度	2.9mm
最大漏源电阻值	350 mΩ	最高工作温度	+150 °C
通道模式	增强	晶体管材料	Si
最大栅阈值电压	3V	最低工作温度	-55 °C
最大功率耗散	1.25 W	高度	1mm