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RFP50N06

厂商名称：ON安森美

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，N沟道，60 V，50 A，0.022 ohm，TO-220AB，通孔

英文描述：

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB

数据手册：

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RFP50N06概述

RFP50N06是采用MegaFET工艺的60V N沟道功率MOSFET。该工艺使用的特征尺寸接近LSI集成电路的特征尺寸，从而可以最佳地利用硅，从而实现出色的性能。MOSFET专为开关稳压器，开关转换器，电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计。该晶体管可以直接从集成电路进行操作。该产品是一般用途，适用于许多不同的应用程序。

温度补偿PSPICE®模型

峰值电流与脉冲宽度曲线

UIS额定曲线

175°C的额定结温

应用

电源管理，电机驱动与控制

RFP50N06中文参数

通道类型	N	最大栅源电压	-20 V、+20 V
最大连续漏极电流	50 A	每片芯片元件数目	1
最大漏源电压	60 V	晶体管材料	Si
封装类型	TO-220AB	典型栅极电荷@Vgs	125 nC @ 20 V
安装类型	通孔	宽度	4.83mm
引脚数目	3	长度	10.67mm
最大漏源电阻值	22 mΩ	高度	9.4mm
通道模式	增强	最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	2V	系列	MegaFET
最大功率耗散	131 W	最低工作温度	-55 °C
晶体管配置	单