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SI2323DS-T1-E3

厂商名称：Vishay

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，P通道，20 V，4.7 A，0.039 ohm，TO-236，表面安装

英文描述：

P-channel MOSFET Transistor 3.7 A 20 V，3-Pin SOT-23，TO-236

数据手册：

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SI2323DS-T1-E3概述

SI2323DS-T1-E3是一款P沟道TrenchFET®功率MOSFET，功耗为1.25W.

±8V栅-源电压

无卤素

应用

工业

SI2323DS-T1-E3中文参数

工业制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:SOT-23-3

晶体管极性:P-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:4.7 A

Rds On-漏源导通电阻:39 mOhms

Vgs-栅极-源极电压:-8 V，+8 V

Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV

Qg-栅极电荷:19 nC

最小工作温度:-55 C

最大工作温度:+150 C

Pd-功率耗散:1.25 W

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:48 ns

正向跨导-最小值:16 S

高度:1.45 mm

长度:2.9 mm

上升时间:43 ns

晶体管类型:1 P-Channel

典型关闭延迟时间:71 ns

典型接通延迟时间:25 ns

SI2323DS-T1-E3引脚图