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STP5NK80Z

厂商名称：ST意法半导体

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，N沟道，800 V，4.3 A，1.9 ohm，TO-220，通孔

英文描述：

Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab)TO-220FP Tube

数据手册：

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STP5NK80Z概述

STP5NK80Z是采用SuperMESH?技术开发的800V N通道齐纳保护功率MOSFET，通过优化已建立的基于条带的PowerMESH?布局来实现。除了大幅降低导通电阻外，还要特别注意确保最苛刻的应用具有非常好的dv/dt能力。改善了栅极电荷并降低了功耗，以满足当今具有挑战性的效率要求。

经过100％雪崩测试

栅极电荷最小化

极低的本征电容

极好的制造重复性

应用

工业

STP5NK80Z中文参数

通道类型	N	晶体管配置	单
最大连续漏极电流	4.3 A	最大栅源电压	-30 V、+30 V
最大漏源电压	800 V	每片芯片元件数目	1
封装类型	TO-220	晶体管材料	Si
安装类型	通孔	长度	10.4mm
引脚数目	3	最高工作温度	+150 °C
最大漏源电阻值	2.4 Ω	宽度	4.6mm
通道模式	增强	高度	9.15mm
最大栅阈值电压	4.5V	最低工作温度	-55 °C
最小栅阈值电压	3V	系列	MDmesh, SuperMESH
最大功率耗散	110000 mW	典型栅极电荷@Vgs	32.4 nC @ 10 V