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STW48NM60N

STW48NM60N

厂商名称：ST意法半导体

STW48NM60N图片

元件分类：MOS管

中文描述：

N沟道600 V、0.055 Ohm典型值、44 A MDmesh(TM)II功率MOSFET，TO-247封装

英文描述：

N-Channel MOSFET,39 A,600 V MDmesh,3-Pin TO-247 STMicroelectronics

数据手册：

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STW48NM60N概述

STW48NM60N器件是采用第二代MDmesh?技术开发的N沟道功率MOSFET。这种革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的带状布局结合起来，产生了世界上最低的导通电阻和栅极电荷。因此，它适用于要求最高的高效率转换器。

特性

100%雪崩测试

低输入电容和栅极电荷

低栅极输入电阻

STW48NM60N中文参数

制造商:	STMicroelectronics	Rds On-漏源导通电阻:	70 mOhms
产品种类:	MOSFET	Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, + 25 V
技术:	Si	Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
安装风格:	Through Hole	Qg-栅极电荷:	124 nC
封装 / 箱体:	TO-247-3	最小工作温度:	- 55 C
晶体管极性:	N-Channel	最大工作温度:	+ 150 C
通道数量:	1 Channel	Pd-功率耗散:	255 W
Vds-漏源极击穿电压:	600 V	通道模式:	Enhancement
Id-连续漏极电流:	39 A	系列:	STW48NM60N

STW48NM60N引脚图

STW48NM60N引脚图

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