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TLE2142IDR

厂商名称：TI德州仪器

元件分类：精密运放

中文描述：

双路低噪声高速精密运算放大器

英文描述：

Dual Low-Noise High-Speed Precision Operational Amplifier

数据手册：

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TLE2142IDR概述

TLE214x和TLE214xA器件是高性能内部补偿运算放大器，采用德州仪器互补双极Excalibur工艺制造。TLE214xA是TLE214x的更高偏移电压级。两者都是标准行业产品的引脚兼容升级产品。

该设计集成了一个输入级，可同时实现10.5 nV//100-pF负载的低音频带噪声，适用于快速致动器/定位驱动器。在类似的测试条件下，0.01%的稳定时间为400 ns。

器件在高达10 nF的电容性负载下也能保持稳定，不过在如此高的负载水平下，6 MHz带宽会降至1.8 MHz。因此，TLE214x和TLE214xA适用于长电缆（包括4 mA至20 mA电流环路）的低跳动采样和保持以及直接缓冲。

500µV的最大偏移电压和1.7µV/°C的典型漂移证明，这种特殊设计还提高了对固有集成电路元件失配的敏感度。最小共模抑制比和电源电压抑制比分别为85 dB和90 dB。

在±2-V至±22-V范围内，器件性能与电源电压相对无关。输入可在VCC--0.3 V至VCC+-1.8 V之间工作，而不会引起相位反转，不过每个输入可能会流出过大的输入电流，超过较低的共模输入范围。在轻载电流条件下，全负极输出级可提供VCC--0.1至VCC+-1 V的接近轨至轨输出摆幅。由于输出电流受到内部限制，该器件可承受任一电源的短路，但必须注意确保不超过最大封装功率耗散。

这两个版本还可用作比较器。VCC±的差分输入可以保持，不会损坏器件。TTL电源电平下的开环传播延迟通常为200 ns。当器件的驱动超出推荐输出摆幅的限制时，这可以很好地显示输出级的饱和恢复情况。

TLE214x和TLE214xA有多种封装形式可供选择，包括行业标准的8引脚小外型版本和适用于高密度系统应用的芯片形式。C-suffix器件的工作温度范围为0°C至70°C，I-suffix器件的工作温度范围为-40°C至105°C，M-suffix器件的工作温度范围为-55°C至125°C。

TLE2142IDR中文参数

制造商:Texas Instruments

产品种类:精密放大器

通道数量:2 Channel

GBP-增益带宽产品:5.9 MHz

SR-转换速率:45 V/us

Vos-输入偏置电压:290 uV

Ib-输入偏流:700 nA

电源电压-最大:44 V

电源电压-最小:4 V

工作电源电流:6.9 mA

每个通道的输出电流:50 mA

CMRR-共模抑制比:108 dB

en-输入电压噪声密度:10.5 nV/sqrt Hz

封装/箱体:SOIC-8

安装风格:SMD/SMT

关闭:No Shutdown

最小工作温度:-40℃

最大工作温度:+105℃

系列:TLE2142

放大器类型:Wideband Amplifier

商标:Texas Instruments

双重电源电压:+/-3 V,+/-5 V,+/-9 V

特点:High Cload Drive

高度:1.58 mm

In—输入噪声电流密度:1.92 pA/sqrt Hz

输入类型:Rail-to-Rail

长度:4.9 mm

最大双重电源电压:+/-22 V

最小双重电源电压:+/-2 V

工作电源电压:4 V to 44 V,+/-2 V to+/-22 V

TLE2142IDR引脚图