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ULN2003ADR

ULN2003ADR

厂商名称:TI德州仪器
ULN2003ADR图片
元件分类:达林顿晶体管阵列驱动
中文描述:
TI德州仪器,ULN2003ADR ,高电压、大电流达林顿晶体管阵列,晶体管-双极-BJT-阵列-7-NPN-达林顿-50V-500mA-表面贴装型-16-SOIC
英文描述:

Texas Instruments  ULN2003ADR high-voltage,high-current Darlington transistor arrays.
50-V, 7-ch darlington transistor array, -20C to 70C

数据手册:
在线购买:立即购买
ULN2003ADR概述

ULx200xA 器件是高电压大电流达林顿晶体管阵列。每款器件均由 7 个 NPN达林顿对组成,这些达林顿对具有高压输出,带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管。


单个达林顿对的集电极电流额定值为 500mA。将达林顿对并联可以提供更高的电流。应用 包括继电器驱动器、电锤驱动器、灯驱动器、显示驱动器(LED和气体放电)、线路驱动器和逻辑缓冲器。


ULN2002A 器件专门设计用于 14V 至 25V PMOS 器件。该器件的每个输入端都有一个串联的齐纳二极管和电阻,以将输入电流控制在安全范围内。ULx2003A器件的每个达林顿对都具有一个 2.7k? 的串联基极电阻,可直接与 TTL 或 5V CMOS 器件一起工作。


ULx2004A 器件具有一个 10.5k? 串联基极电阻,允许直接从使用 6V 至 15V 电源电压的 CMOS 器件进行操作。ULx2004A 器件所需的输入电流低于ULx2003A 器件的输入电流,所需电压小于 ULN2002A 器件的所需电压。

ULN2003ADR中文参数
晶体管类型 7 NPN 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 1.6V @ 500uA,350mA
电流 - 集电极截止(最大值) 50uA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) -
功率 - 最大值 -
频率 - 跃迁 -
工作温度 -20°C ~ 70°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 16-SOIC
ULN2003ADR引脚图
ULN2003ADR引脚图
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