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Nexperia：将投资2亿美元研发下一代宽禁带半导体产品
2024-06-28 11:57:45 阅读量：116 来源：Nexperia

导读：半导体制造商Nexperia（安世半导体）近日宣布，计划投资2亿美元（约合1.84亿欧元）研发下一代宽禁带半导体产品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，并在汉堡工厂建立生产基础设施。同时，晶圆厂的硅(Si)二极管和晶体管产能将会增加。此项投资是在该工厂成立100周年之际，与汉堡经济部长Melanie Leonhard博士共同宣布的。

为了满足对高效功率半导体日益增长的长期需求，Nexperia将从2024年6月开始在德国研发和生产SiC、GaN和Si三种技术。这一举措充分展现了Nexperia对电气化和数字化领域关键技术的有力支持。SiC和GaN半导体使数据中心等高功率应用能够以出色的效率运行，同时也是可再生能源应用和电动汽车的核心构件。这些宽禁带技术具有巨大的潜力，对实现脱碳目标越来越重要。

Nexperia德国首席运营官兼常务董事Achim Kempe表示： “这项投资巩固了我们作为节能半导体领先供应商的地位，使我们能够更负责任地利用可用电能。未来，我们的汉堡晶圆厂将覆盖全系列的宽禁带半导体，同时仍是最大的小信号二极管和晶体管工厂。我们将继续坚定执行我们的战略，为标准应用和高耗能应用生产高质量、具有成本效益的半导体，同时应对我们这一代人面临的最大挑战之一：满足日益增长的能源需求，同时减少对环境的影响。 第一条高压D-Mode GaN晶体管和SiC二极管生产线已于2024年6月投入使用。下一个里程碑将是建立现代化、经济高效的200毫米SiC MOSFET和低压GaN HEMT生产线。这些生产线将在未来两年内在汉堡工厂完成。同时，该项投资还将帮助进一步实现汉堡工厂现有基础设施的自动化，并通过逐步转向使用200毫米晶圆来扩大硅的产能。”

Nexperia德国首席财务官兼常务董事Stefan Tilger表示： “计划中的投资使我们能够在汉堡开展宽禁带芯片的设计和生产。然而，SiC和GaN对于Nexperia来说绝不是新领域。自2019年起，我们的产品组合中就包括GaN FET，而在2023年，我们还与三菱电机合作，扩展了产品范围，加入了SiC二极管和SiC MOSFET。Nexperia是少数几家能够提供全线半导体技术产品系列的供应商之一，包括Si、SiC和涵盖了E-mode和D-mode的GaN。这意味着，我们为客户提供了一站式服务，能够满足他们所有的半导体需求。此项投资是Nexperia在汉堡洛克施泰特工厂百年历史中的又一个重要里程碑。自1924年Valvo Radioröhrenfabrik成立以来，该工厂不断发展，如今为全球约四分之一的小信号二极管和晶体管需求提供支持。自2017年从NXP分拆以来，Nexperia在汉堡工厂投入了大量资金，员工人数从950人增加到1,600人左右，并将技术基础设施升级到了最先进的水平。这些持续的投入突显了公司致力于保持行业领先地位并为全球客户提供创新解决方案的决心。”

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