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Nexperia：推出业界领先的1200V SiC MOSFET
2024-05-23 16:27:49 阅读量：439 来源：Nexperia

导读：Nexperia（安世半导体）近日宣布，公司现推出业界领先的1200V 碳化硅(SiC) MOSFET，采用D²PAK-7 表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ R_Dson 值可供选择。

Nexperia：推出D²PAK-7封装1200V SiC MOSFET

这是继 Nexperia 于 2023 年底发布两款采用 3 引脚和 4 引脚 TO-247 封装的 SiC MOSFET 分立器件之后的又一新产品，它将使其 SiC MOSFET 产品组合迅速扩展到包括 R_Dson 值为 17、30、40、60 和 80 mΩ 且封装灵活的器件。

随着 NSF0xx120D7A0 的发布，Nexperia 正在满足市场对采用 D²PAK-7 等 SMD 封装的高性能 SiC 开关日益增长的需求，这种开关在电动汽车(EV)充电（充电桩）、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等各种工业应用中越来越受欢迎。这也进一步证明了 Nexperia 与三菱电机公司(MELCO)之间成功的战略合作伙伴关系，两家公司联手将 SiC 宽带隙半导体的能效和电气性能推向了新的高度，同时还提高了该技术的未来生产能力，以满足不断增长的市场需求。

R_Dson 是 SiC MOSFET 的一个关键性能参数，因为它会影响传导功率损耗。然而，许多制造商只关注标称值，而忽略了一个事实，即随着设备工作温度的升高，R_Dson 相比室温下的标称值可能会增加 100% 以上，从而造成相当大的传导损耗。Nexperia 发现这也是造成目前市场上许多 SiC 器件的性能受限的因素之一，新推出的 SiC MOSFET 采用了创新型工艺技术特性，实现了业界领先的 R_Dson 温度稳定性，在 25℃ 至 175℃ 的工作温度范围内，R_Dson 的标称值仅增加38%。

严格的阈值电压 VGS(th) 规格使这些 MOSFET 分立器件在并联时能够提供平衡的载流性能。此外，较低的体二极管正向电压(VSD)有助于提高器件稳健性和效率，同时还能放宽对续流操作的死区时间要求。

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