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为了满足前端对大电流、快速响应和小占地面积的需求,MPS 开发了基于Boost驱动模式的MPQ5850-AEC1,它是一款智能的汽车级理想二极管控制器,采用TSOT23-8的超小封装,芯片尺寸只有2mm*3mm,可以高效驱动外部N-MOSFET来代替传统肖特基二极管或P-MOSFET进行汽车前端反向输入保护。
MPQ5850芯片内部集成的Boost变换器采用固定峰值电流模式控制,可以高效地产生一个高于Drain端12V的电压,确保精准、稳定地驱动外部N-MOSFET。
当Boost变换器输出的浮动电压低于12V时,其控制电路即刻会发送一个开通脉冲,驱动Boost的下管导通,电感进入充电状态。当电感电流上升到设定的峰值电流220mA时,该脉冲结束,下管截止,电感随即通过二极管续流,进入放电状态,直到电感电流减小至0mA,下一个开通周期才会重新启动。
这种固定峰值电流模式控制使得Boost的开关频率只有800Hz左右,进而带来很小的静态功耗(4μA的关断电流和30μA的静态工作电流),也使该设备成为电池供电应用的理想选择。
MPQ5850通过精密调控外部N-MOSFET的Gate电压,确保其两端压降(VSD)恒定在仅20mV。面对负载电流的动态变化,该器件展现出卓越的响应能力:当负载电流上升时,Gate电压同步上升,直到MOSFET实现完全导通;而当负载电流下降时 ,Gate电压又能精准下调,使MOSFET恰好处在理想的线性工作区,持续保持20mV的超低压降。这一特性显著减少了系统在实际应用中的功率损耗,特别是在大电流场景下,MPQ5850的出色表现成为降低功耗、提升能效的理想之选。
图4 Gate驱动状态切换
MPQ5850凭借其出众的栅极驱动能力(170mA上拉电流),远超市场上常见的charge pump驱动方案(典型为20mA上拉电流),显著优势不言而喻。同时由于芯片正常工作于20mV调制状态,使得外部的N-MOSFET工作于理想的线性工作区而保持较低的Vgs。因此,在面对负压或反流状况,MPQ5850展现出超乎寻常的瞬态响应速度,迅速且精准地为后级电路提供全面保护,确保系统安全稳定的运行。
MPQ5850出众的防反能力和输入电压整流性能,确保其完全符合严苛的ISO 16750和ISO 7637标准。如图4所示,该器件在面对IV级别的负脉冲测试和100kHz输入叠加高频交流信号测试时,均展现出卓越的性能。
图5 MPQ5850的ISO 16750负向脉冲测试与ISO 7637输入整流能力测试波形
MPQ5850的独特之处在于,其内部电路运行并非依赖VBATT供电,而是由漏极电压(VOUT)直接驱动。这一设计使得,只要VOUT超过其UVLO阈值电压,即使在极端冷启动条件下(当VBATT降至0V时),MPQ5850仍能稳定工作。
图6 MPQ5850的冷启动测试波形
如果VOUT下降到UVLO阈值以下,则器件将GATE引脚下拉到SOURCE引脚(也是N-MOSFET的源极),直到boost输出电容CRES上的电压放电到其UVLO阈值之下。这允许该设备在有低电压瞬变时(例如冷起动条件)期间还能正常工作维持正向电压降最小化。
当VOUT降至UVLO阈值以下时,驱动电路由Boost输出电容CRES继续供电,直到CRES两端压降低于其UVLO阈值电压时,GATE引脚才会拉低至与SOURCE引脚(即N-MOSFET源极)平齐,将N-MOSFET关断。此举确保系统在遭遇如冷启动等低电压瞬变状况时,该设备也能保持稳健运行,最大限度地减小正向电压降,确保性能稳定且高效。
MPQ5850集成Power Good(PG)引脚,可以用于指示MPQ5850的状态。当芯片被禁用或Boost输出失调时,PG会拉低,指示错误行为。同时,当Vsd>75mV超过17us时,PG也会发送错误警告信号来指示过流状态。
图7 Power Good测试波形
MPQ5850内部的Boost变换器,以800Hz的开关频率稳定运行,巧妙地规避了对额外EMI滤波器地需求,如此一来,即使面临严苛的EMI环境,该芯片也能游刃有余,展现出卓越的电磁兼容性能。
图8 MPQ5850在CISPR25 Class 5下CE和RE 的EMI表现
TPS5430DDAR/DC-DC电源芯片 | 1.17 | |
ADM2483BRWZ-REEL/隔离式RS485/422收发器 | 8.97 | |
MAX44248ASA+T/精密运放 | 3.29 | |
STM32F030F4P6TR/单片机(MCU/MPU/SOC) | 2.26 | |
ADUM1201BRZ-RL7/数字隔离器 | 4.74 | |
STM32F103VCT6/单片机(MCU/MPU/SOC) | 8.65 | |
STM32F103CBT6/单片机(MCU/MPU/SOC) | 6.27 | |
ULN2003ADR/达林顿晶体管阵列 | 0.3925 | |
OP07CDR/精密运放 | 0.4253 | |
STM32G030F6P6TR/单片机(MCU/MPU/SOC) | 2.3 |
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